Nueva Tesis en el CMAM sobre "Structural and compositional characterization of wide bandgap semiconductor heterostructures by ion beam analysis".

Andres Redondo defending his thesis

Defendida por Andrés Redondo Cubero en el salón de actos del ICMM-CSIC.

Sumario: Esta tesis trata la aplicación del análisis con haces de iones para el estudio de diferentes anchos de bandgap en heteroestructuras de semiconductores. Este trabajo está motivado por la necesidad de mejorar el crecimiento epitaxial de las capas activas y de las capas base que componen los transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs) y los dispositivos optoelectrónicos de alta potencia, principalmente basados en GaN y ZnO. Al mismo tiempo, esta tesis explora las ventajas y los límites de las técnicas de haces de iones para la caracterización estructural y composicional de heteroestructuras tipo, como una alternativa y complemento a los métodos de difracción de rayos-X. Para más información, puedes descargar la tesis desde aquí »